# 省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業（経済産業省・令和3年度）

## 基本情報
- 事業ID: e45fcf77-77d9-4963-884b-0e053eb6550a
- 事業番号: 003957
- 年度: 令和3年度（2021年度）
- 所管府省庁: 経済産業省
- 担当部局: 情報産業課
- 最終決定額: 22億3,900万円
- 概算要求額: 28億円
- 支出先名: 記載なし
- 国税庁法人番号: 未登録
- 検証済み支出額: 未表示 / 該当なし
- 出典（行政事業レビュー見える化サイト）: https://rssystem.go.jp/project/e45fcf77-77d9-4963-884b-0e053eb6550a
- データ基準日: 2026-09-02

## 事業の目的
近年、産業のIoT化や電動化が進展し、それを支える半導体関連技術の重要性が高まる中、従来から我が国が強みを持ち、かつ省エネルギー化の鍵になるエレクトロニクス製品（以下、「省エネエレクトロニクス製品」）が注目を集めており、世界各国で取組が強化されている。本事業では、我が国が保有する高水準の要素技術等を活用し、より高性能な省エネエレクトロニクス製品を開発することで、飛躍的な省エネルギー化を実現する。また、安定的な供給を可能とするサプライチェーンを確保することで、省エネエレクトロニクス製品の製造基盤強化を目指す。

## 事業の概要
新世代パワー半導体と半導体製造装置の高度化に向けた技術開発を実施する。
（１）新世代パワー半導体の開発
既に実用化が実現している次世代パワー半導体材料と比較して、優れた材料特性を持ち、製造コストを抑えられる可能性がある酸化ガリウムパワー半導体の開発。
大口径のシリコンパワー半導体に、AI等の機能を持たせることにより、ワンチップでありながらも、自動最適化や故障予知など、極めて高度な自己制御機能を持ったパワー半導体（インテリジェント・シリコンパワー半導体）の開発。
（２）半導体製造装置の高度化に向けた開発
市場動向が大きく、日本企業に勝機があるリソグラフィやエッチング等の性能を向上させる革新的技術の開発。

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