省エネ半導体関連開発事業(うち省エネエレクトロニクスの製造基盤強化に向けた技術開発事業)
事業の目的
近年、産業のIoT化や電動化が進展し、それを支える半導体関連技術の重要性が高まる中、従来から我が国が強みを持ち、かつ省エネルギー化の鍵になるエレクトロニクス製品(以下、「省エネエレクトロニクス製品」)が注目を集めており、世界各国で取組が強化されている。本事業では、我が国が保有する高水準の要素技術等を活用し、より高性能な省エネエレクトロニクス製品を開発することで、飛躍的な省エネルギー化を実現する。また、安定的な供給を可能とするサプライチェーンを確保することで、省エネエレクトロニクス製品の製造基盤強化を目指す。 【EBPMアクションプランの政策目標】○半導体関連の国内投資促進:我が国産業の発展と社会のデジタル化による高度化に必要不可欠なAI・半導体分野の産業競争力を強化させるとともに、安定的な生産能力を確保することで、経済安全保障を確保するとともにエネルギー効率化に繋げること。
事業の概要
新世代パワー半導体と半導体製造装置の高度化に向けた技術開発を実施する。 (1)新世代パワー半導体の開発 ・既に実用化が実現している次世代パワー半導体材料と比較して、優れた材料特性を持ち、製造コストを抑えられる可能性がある酸化ガリウムパワー半導体の開発(令和5年度で終了)。 ・自動最適化や故障予知など、高度な自己制御機能を持った大口径インテリジェント・シリコンパワー半導体の開発と必要に応じて関連する応用技術の開発。 (2)半導体製造装置の高度化に向けた開発 ・市場規模及び市場成長率が大きく、我が国企業の競争力の維持・強化において重要な半導体製造装置の高度化に係る技術の開発。 【EBPMアクションプラン関連事業】:半導体関連の国内投資促進
同一事業コードの年度別予算推移
全6年度分同一事業コードで継続されている年度ごとの予算比較
| 年度 | 要求額 | 決定額 | 支出先 |
|---|---|---|---|
| 令和3年度 (2021年) | ¥█████████のり弁を剥がす | 22億3,900万円 | — |
| 令和4年度 (2022年) | ¥█████████のり弁を剥がす | 29億1,400万円 | 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 |
| 令和5年度 (2023年) | ¥█████████のり弁を剥がす | 26億6,278万円 | 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 |
| 令和6年度 (2024年) | ¥█████████のり弁を剥がす | 25億807万円 | 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 |
| 令和7年度 (2025年) | ¥—のり弁を剥がす | 20億円 | 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 |
| 令和8年度 (2026年)(選択中) | ¥—のり弁を剥がす | 未公表 / 該当なし | 国立研究開発法人新エネルギー・産業技術総合開発機構 |
公金支出先・契約先情報
支出先照合法人番号の完全照合・概算要求額・支出先の契約額
決定額は無料で表示しています。プロ会員(30日パス ¥1,980 税込)では、次がアンロックされます:
- 国税庁法人番号の13桁完全表示および gBizINFO 照合
- 概算要求額・査定率・支出先の契約額を1円単位で表示
- この事業のCSVダウンロード(Excel / JSON の一括エクスポートはBusinessプラン)